Expand 扩展资料目录说明
本文说明 D:\ObsidianFirstNotes\Embedded\PCB\assets\Expand 目录中各类文件的用途、位置和推荐使用方式。这里是对原始课程笔记的扩展区域，主要存放整理后的 Markdown 文档、示意图、动画、仿真文件和历史归档。
1. 目录总览
Expand├─ Docs│ ├─ 硬件基础知识索引.md│ ├─ 零基础│ └─ 进阶├─ Animations├─ diagrams├─ Photo├─ Simulation├─ Archive└─ AGENTS.md| 目录 | 主要用途 | 当前内容 |
|---|---|---|
Docs/ | 正式学习文档和文档索引 | 1 个总索引，2 个分层目录 |
Docs/零基础/ | 第一次学习时建立直觉 | 3 篇入门文档 |
Docs/进阶/ | 公式、仿真和工程分析 | 7 篇进阶文档 |
Animations/ | 可直接插入笔记的 GIF 动画 | 2 个 GIF |
diagrams/ | 整理绘制的通用电路图 | 11 个 SVG |
Photo/ | 当前正式引用的截图 | 18 个 PNG |
Simulation/ | 可在浏览器打开的交互式仿真 | 1 个 HTML |
Archive/ | 原始文件、重复资源和被替代产物 | 历史资料，不作为首选入口 |
2. 正式文档入口
总索引位于：硬件基础知识索引。
它负责说明推荐学习顺序、文档之间的关系、已经合并的内容以及归档规则。第一次进入这个目录时，建议先打开总索引，不要直接从文件名猜测学习顺序。
3. 零基础目录
零基础文档位于 Docs/零基础/，目标是先建立“元件做什么、波形为什么变化”的直觉，不要求一开始就掌握复数、相量或完整传递函数。
3.1 电感与 RL、LC 滤波
主要内容：
- 电感储能和电流惯性；
- 感抗
XL=2πfL； - RL 低通和高通的判断方法；
- 截止频率
fc=R/(2πL)； - LC 低通为什么能更快衰减高频；
- 电感 DCR、饱和电流和自谐振频率。
3.2 LC 谐振与 Q 值
主要内容：
- 电容和电感如何互相交换能量；
- 固有频率
f0=1/(2π√LC)； - 串联谐振和并联谐振；
- Q 值、阻尼和振铃；
f0、谐振峰和截止频率的区别；L=10uH、C=1uF的完整数值示例。
3.3 偏置、截止频率与振荡
主要内容：
- 直流偏置和静态工作点；
- 截止频率的含义；
- 固有频率、谐振和振铃；
- 自由响应、受迫响应和振荡器；
- 从示波器现象反推可能的电路问题。
4. 进阶目录
进阶文档位于 Docs/进阶/，用于在零基础文档之后继续学习公式推导、仿真结果、器件非理想特性和工程设计边界。
| 文档 | 重点 |
|---|---|
| 进阶/电容容抗与RC滤波原理 | XC、复阻抗、RC 低通/高通、时间常数、负载效应和实测方法 |
| 进阶/电感、RL与LC滤波原理详解 | XL、RL 滤波、LC 二阶滤波、谐振、阻尼和 Q 值曲线 |
| 进阶/偏置、截止频率、谐振与振荡辨析 | 概念边界、RLC 动态响应、频率响应和工程判断 |
| 进阶/嵌入式去耦电容工作原理 | 芯片瞬态电流、寄生电感、去耦布局和示波器检查 |
| 进阶/大电容上电浪涌与软启动 | 大电容充电浪涌、NTC、电感、预充电阻和 MOSFET 软启动 |
| 进阶/差模与共模干扰及滤波原理 | 差模/共模路径、X/Y 电容、共模电感和 EMI 排查 |
| 进阶/三极管入门 | PN 结、NPN/PNP、工作区、负载线、放大和开关应用 |
说明：三极管入门.md 虽然文件名带“入门”，但内容已经包含较完整的物理解释和工程分析，因此归入进阶目录。
5. 图片、动画与仿真资源
5.1 diagrams/：通用示意图
这里保存为文档重新绘制的 SVG 图，适合在不同笔记中重复引用。文件名按电路或现象命名，例如：
rc-lowpass.svg：RC 低通；rl-lowpass.svg、rl-highpass.svg：RL 低通和高通；lc-lowpass.svg：LC 低通；lc-energy-cycle.svg：LC 能量交换；lc-resonance-reactance.svg：电抗随频率变化；rlc-damping.svg：欠阻尼、临界阻尼和过阻尼；rlc-frequency-response.svg：RLC 频率响应；lc-lowpass-q-response.svg：不同 Q 值下的低通曲线。
5.2 Photo/：正式截图
这里保存当前文档正在使用的 18 个 PNG 截图，主要来自电路仿真和波形记录。正式文档应优先引用 Photo/ 中不带导出时间后缀的文件。
带 -1777390267149-数字 后缀的同内容副本已经移动到 Archive/Photo-duplicates/，用于追溯，不建议在新文档中继续引用。
5.3 Animations/：GIF 动画
嵌入式去耦电容工作原理.gif：展示去耦电容在芯片负载突变时补充瞬态电流；容抗Xc工作原理.gif：展示电容容抗随频率升高而降低。
5.4 Simulation/：交互式仿真
容抗Xc交互式仿真.html：可在浏览器中观察电容容抗和 RC 滤波趋势。
6. 三极管视频资源的位置
三极管正式文档位于 Docs/进阶/三极管入门.md，但原课程图片和视频片段仍放在上级 PCB 资源目录：
D:\ObsidianFirstNotes\Embedded\PCB\assets\PCB\1-2 基础知识点2.assets\其中与用户指定视频片段相关的文件是：
bjt-diode-trim-00m10s-03m14s.mp4：00:10–03:14 的原声音视频片段；bjt-diode-trim-00m10s-03m14s.gif：同一片段的 GIF 预览；bjt-carrier-control.gif：三极管载流子控制示意动画。
原视频链接仍保留在三极管文档中，便于回到完整上下文观看。
7. Archive 归档规则
Archive/ 中的内容不会作为推荐学习入口，但暂时保留以便追溯。
| 子目录 | 内容 | 处理原则 |
|---|---|---|
Docs-original/ | 原始 Markdown 笔记 | 不直接修改，用于对照正式整理版 |
Photo-duplicates/ | 重复截图 | 不在新文档中引用，需要时再恢复 |
superseded/ | 被视频片段替代的旧 GIF、视频源和生成脚本 | 仅作历史记录，不作为当前资源 |
8. 推荐使用流程
- 先打开 硬件基础知识索引。
- 从
Docs/零基础/开始，先理解元件和波形的直觉。 - 遇到公式推导、仿真曲线或工程参数，再进入
Docs/进阶/。 - 需要直观观察时，打开
Animations/、diagrams/或Simulation/中的资源。 - 需要核对历史内容时，再查看
Archive/，不要把归档文件当成当前正式结论。
9. 维护约定
- 新的学习文档放入
Docs/零基础/或Docs/进阶/，不要直接散落在Docs根目录； Docs根目录只保留总索引和本目录说明；- 新图片按“正式引用”与“历史备份”分别放入
Photo/和Archive/Photo-duplicates/； - 文档改名后同步更新 Wiki 链接；
- 删除前先确认没有文档引用，并优先移动到
Archive/而不是直接永久删除； - 保留原始视频时间范围和来源链接，确保媒体资源可以追溯。
这套结构的核心目标是：零基础文档负责“看懂”，进阶文档负责“算清楚、测出来、设计好”，资源目录负责“直观展示”，归档目录负责“保留历史”。